Toshiba TK N-Channel MOSFET, 105 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK58E06N1

Nr. stoc RS: 796-5106Producator: ToshibaCod de producator: TK58E06N1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

105 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

TK

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.45mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

46 nC @ 10 V

Inaltime

15.1mm

Detalii produs

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 6,15

€ 1,23 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 7,44

€ 1,488 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 105 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK58E06N1
Selectati tipul de ambalaj

€ 6,15

€ 1,23 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 7,44

€ 1,488 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 105 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK58E06N1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

105 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

TK

Tip pachet

TO-220

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.45mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

46 nC @ 10 V

Inaltime

15.1mm

Detalii produs

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe