Toshiba TK N-Channel MOSFET, 90 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK40E10N1,S1X(S
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220
Serie
TK
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
8.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
126 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.16mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
49 nC @ 10 V
Latime
4.45mm
Transistor Material
Si
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 49,50
€ 0,99 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 59,90
€ 1,198 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 49,50
€ 0,99 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 59,90
€ 1,198 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,99 | € 49,50 |
| 250 - 450 | € 0,84 | € 42,00 |
| 500 - 1200 | € 0,81 | € 40,50 |
| 1250+ | € 0,78 | € 39,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220
Serie
TK
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
8.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
126 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.16mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
49 nC @ 10 V
Latime
4.45mm
Transistor Material
Si
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse