Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK40E06N1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
10.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
67 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15.1mm
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5,70
€ 1,14 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 6,78
€ 1,357 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 5,70
€ 1,14 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 6,78
€ 1,357 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,14 | € 5,70 |
| 50 - 120 | € 1,02 | € 5,10 |
| 125 - 245 | € 0,96 | € 4,80 |
| 250 - 495 | € 0,87 | € 4,35 |
| 500+ | € 0,80 | € 4,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
10.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
67 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15.1mm
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse