Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK40E06N1

Nr. stoc RS: 168-7778Producator: ToshibaCod de producator: TK40E06N1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

TO-220

Serie

TK

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

10.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

67 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.45mm

Lungime

10.16mm

Inaltime

15.1mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
TK40E06N1 N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V TK, 3-Pin TO-220 Toshiba
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 35,00

€ 0,70 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 41,65

€ 0,833 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK40E06N1

€ 35,00

€ 0,70 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 41,65

€ 0,833 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK40E06N1
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
TK40E06N1 N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V TK, 3-Pin TO-220 Toshiba
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

TO-220

Serie

TK

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

10.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

67 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.45mm

Lungime

10.16mm

Inaltime

15.1mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
TK40E06N1 N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V TK, 3-Pin TO-220 Toshiba
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)