Toshiba N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V, 3-Pin TO-247 TK39N60W,S1VF(S
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
270 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
5.02mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.95mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5,59
€ 5,59 Buc. (fara TVA)
€ 6,65
€ 6,65 Buc. (cu TVA)
1
€ 5,59
€ 5,59 Buc. (fara TVA)
€ 6,65
€ 6,65 Buc. (cu TVA)
1
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,59 |
| 10 - 49 | € 4,57 |
| 50 - 99 | € 4,13 |
| 100 - 199 | € 3,99 |
| 200+ | € 3,86 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
270 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
5.02mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.95mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse