Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 120 V, 3-Pin TO-220 TK32E12N1,S1X(S
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
13.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
98 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.45mm
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 44,00
€ 0,88 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 53,24
€ 1,065 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 44,00
€ 0,88 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 53,24
€ 1,065 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,88 | € 44,00 |
| 250 - 950 | € 0,75 | € 37,50 |
| 1000 - 2450 | € 0,72 | € 36,00 |
| 2500+ | € 0,70 | € 35,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
13.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
98 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.45mm
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse