Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 TK31E60X,S1X(S
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30.8 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
DTMOSIV
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
88 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
230 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.45mm
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
65 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,64
€ 3,82 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 9,24
€ 4,622 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
2
€ 7,64
€ 3,82 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 9,24
€ 4,622 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,82 | € 7,64 |
| 10 - 18 | € 2,77 | € 5,54 |
| 20 - 48 | € 2,68 | € 5,36 |
| 50 - 98 | € 2,57 | € 5,14 |
| 100+ | € 2,50 | € 5,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30.8 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
DTMOSIV
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
88 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
230 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.45mm
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
65 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse