Toshiba TK N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V, 3-Pin TO-220 TK31E60W,S1VX(S
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-220
Serie
TK
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
88 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
230 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
86 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.45mm
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 187,00
€ 3,74 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 222,53
€ 4,451 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 187,00
€ 3,74 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 222,53
€ 4,451 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 3,74 | € 187,00 |
| 250 - 450 | € 3,34 | € 167,00 |
| 500+ | € 3,01 | € 150,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-220
Serie
TK
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
88 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
230 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
86 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.45mm
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse