Toshiba TK N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK30E06N1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-220
Serie
TK
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.45mm
Lungime
10.16mm
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 31,50
€ 0,63 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 38,12
€ 0,762 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 31,50
€ 0,63 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 38,12
€ 0,762 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,63 | € 31,50 |
| 250 - 450 | € 0,57 | € 28,50 |
| 500 - 1200 | € 0,53 | € 26,50 |
| 1250 - 2450 | € 0,51 | € 25,50 |
| 2500+ | € 0,49 | € 24,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-220
Serie
TK
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.45mm
Lungime
10.16mm
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse