Toshiba TK N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK30A06N1,S4X(S
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-220SIS
Serie
TK
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
15mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 9,00
€ 0,90 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 10,89
€ 1,089 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 9,00
€ 0,90 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 10,89
€ 1,089 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,90 | € 9,00 |
| 100 - 190 | € 0,74 | € 7,40 |
| 200 - 360 | € 0,65 | € 6,50 |
| 370 - 740 | € 0,62 | € 6,20 |
| 750+ | € 0,60 | € 6,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-220SIS
Serie
TK
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
15mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse