Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-247 TK20N60W5,S1VF(S
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-247
Serie
DTMOSIV
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
175 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
165 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.02mm
Lungime
15.94mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Inaltime
20.95mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 15,60
€ 3,12 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 18,88
€ 3,775 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
€ 15,60
€ 3,12 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 18,88
€ 3,775 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 3,12 | € 15,60 |
| 25 - 45 | € 2,79 | € 13,95 |
| 50+ | € 2,52 | € 12,60 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-247
Serie
DTMOSIV
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
175 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
165 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.02mm
Lungime
15.94mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Inaltime
20.95mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse