Toshiba TK N-Channel MOSFET, 15 A, 500 V, 3-Pin TO-3PN TK20J50D(F)
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-3PN
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
40.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.8mm
Inaltime
19mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2,62
€ 2,62 Buc. (fara TVA)
€ 3,12
€ 3,12 Buc. (cu TVA)
1
€ 2,62
€ 2,62 Buc. (fara TVA)
€ 3,12
€ 3,12 Buc. (cu TVA)
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 24 | € 2,62 |
| 25 - 99 | € 1,84 |
| 100+ | € 1,77 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-3PN
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
40.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.8mm
Inaltime
19mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse