Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 TK16E60W5,S1VX(S
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15.8 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
DTMOSIV
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
230 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
130 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.45mm
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
43 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,80
€ 1,36 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 8,23
€ 1,646 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
€ 6,80
€ 1,36 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 8,23
€ 1,646 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,36 | € 6,80 |
| 25 - 45 | € 0,81 | € 4,05 |
| 50 - 120 | € 0,74 | € 3,70 |
| 125+ | € 0,72 | € 3,60 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15.8 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
DTMOSIV
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
230 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
130 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.45mm
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
43 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse