N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK16E60W5,S1VX(S
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15.8 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
DTMOSIV
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
230 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
130 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.45mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
43 nC @ 10 V
Inaltime
15.1mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 7,00
€ 1,40 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 8,33
€ 1,666 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
€ 7,00
€ 1,40 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 8,33
€ 1,666 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,40 | € 7,00 |
| 25 - 45 | € 0,86 | € 4,30 |
| 50+ | € 0,79 | € 3,95 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15.8 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
DTMOSIV
Tip pachet
TO-220
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
230 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
130 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.45mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
43 nC @ 10 V
Inaltime
15.1mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse