Toshiba U-MOSVIII-H N-Channel MOSFET, 15 A, 40 V, 3-Pin DPAK TK15S04N1L,LQ(O
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
U-MOSVIII-H
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
37 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.5mm
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
2.3mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 4,80
€ 0,96 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 5,81
€ 1,162 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 4,80
€ 0,96 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 5,81
€ 1,162 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 0,96 | € 4,80 |
| 25 - 45 | € 0,81 | € 4,05 |
| 50 - 245 | € 0,78 | € 3,90 |
| 250 - 495 | € 0,75 | € 3,75 |
| 500+ | € 0,71 | € 3,55 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
U-MOSVIII-H
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
37 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.5mm
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
2.3mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse