Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 13.7 A, 650 V, 3-Pin D2PAK TK14G65W,RQ(S

Nr. stoc RS: 133-2797Producator: ToshibaCod de producator: TK14G65W,RQ(S
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13.7 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Serie

DTMOSIV

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

35 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

8.8mm

Lungime

10.35mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Inaltime

4.46mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 8,55

€ 1,71 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 10,35

€ 2,069 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 13.7 A, 650 V, 3-Pin D2PAK TK14G65W,RQ(S

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 8,55
10€ 17,10
15€ 25,65
20€ 34,20
25€ 42,75
30€ 51,30
35€ 59,85
40€ 68,40
45€ 76,95
50€ 85,50
55€ 94,05
60€ 102,60
65€ 111,15
70€ 119,70
75€ 128,25

€ 8,55

€ 1,71 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 10,35

€ 2,069 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 13.7 A, 650 V, 3-Pin D2PAK TK14G65W,RQ(S

Informatii despre stoc temporar indisponibile

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 8,55
10€ 17,10
15€ 25,65
20€ 34,20
25€ 42,75
30€ 51,30
35€ 59,85
40€ 68,40
45€ 76,95
50€ 85,50
55€ 94,05
60€ 102,60
65€ 111,15
70€ 119,70
75€ 128,25

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13.7 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Serie

DTMOSIV

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

35 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

8.8mm

Lungime

10.35mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Inaltime

4.46mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe