Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V, 3-Pin DPAK TK11P65W,RQ(S

Nr. stoc RS: 133-2796Producator: ToshibaCod de producator: TK11P65W,RQ(S
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11.1 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Serie

DTMOSIV

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

440 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

100 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

6.1mm

Lungime

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Forward Diode Voltage

1.7V

Inaltime

2.3mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 7,10

€ 1,42 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 8,59

€ 1,718 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V, 3-Pin DPAK TK11P65W,RQ(S

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 7,10
10€ 14,20
15€ 21,30
20€ 28,40
25€ 31,75
30€ 38,10
35€ 44,45
40€ 50,80
45€ 57,15
50€ 60,50
55€ 66,55
60€ 72,60
65€ 78,65
70€ 84,70
75€ 90,75

€ 7,10

€ 1,42 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 8,59

€ 1,718 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V, 3-Pin DPAK TK11P65W,RQ(S

Informatii despre stoc temporar indisponibile

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 7,10
10€ 14,20
15€ 21,30
20€ 28,40
25€ 31,75
30€ 38,10
35€ 44,45
40€ 50,80
45€ 57,15
50€ 60,50
55€ 66,55
60€ 72,60
65€ 78,65
70€ 84,70
75€ 90,75

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 20€ 1,42€ 7,10
25 - 45€ 1,27€ 6,35
50 - 245€ 1,21€ 6,05
250 - 495€ 1,15€ 5,75
500+€ 1,11€ 5,55

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11.1 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Serie

DTMOSIV

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

440 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

100 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

6.1mm

Lungime

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Forward Diode Voltage

1.7V

Inaltime

2.3mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe