Toshiba TK N-Channel MOSFET, 10 A, 800 V, 3-Pin TO-220SIS TK10A80E,S4X(S
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220SIS
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4.5mm
Inaltime
15mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,05
€ 1,21 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,20
€ 1,44 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
€ 6,05
€ 1,21 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,20
€ 1,44 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,21 | € 6,05 |
| 25 - 95 | € 1,06 | € 5,30 |
| 100 - 245 | € 0,92 | € 4,60 |
| 250 - 495 | € 0,85 | € 4,25 |
| 500+ | € 0,79 | € 3,95 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220SIS
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4.5mm
Inaltime
15mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse