Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS TK10A60W,S4VX(M
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-220SIS
Serie
DTMOSIV
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.5mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Inaltime
15mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5,95
€ 1,19 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,20
€ 1,44 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
€ 5,95
€ 1,19 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,20
€ 1,44 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,19 | € 5,95 |
| 25 - 45 | € 0,76 | € 3,80 |
| 50 - 120 | € 0,74 | € 3,70 |
| 125 - 245 | € 0,71 | € 3,55 |
| 250+ | € 0,68 | € 3,40 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-220SIS
Serie
DTMOSIV
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.5mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Inaltime
15mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse