Toshiba TK N-Channel MOSFET, 207 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK100E10N1

Nr. stoc RS: 796-5070Producator: ToshibaCod de producator: TK100E10N1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

207 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

TK

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

255 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.45mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

15.1mm

Detalii produs

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 3,34

€ 3,34 Buc. (fara TVA)

€ 3,97

€ 3,97 Buc. (cu TVA)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 207 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK100E10N1
Selectati tipul de ambalaj

€ 3,34

€ 3,34 Buc. (fara TVA)

€ 3,97

€ 3,97 Buc. (cu TVA)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 207 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK100E10N1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitar
1 - 24€ 3,34
25 - 99€ 3,12
100 - 349€ 2,95
350 - 499€ 2,60
500+€ 2,41

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

207 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

TK

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

255 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.45mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

15.1mm

Detalii produs

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe