Toshiba TK N-Channel MOSFET, 207 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK100E10N1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
207 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15.1mm
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 3,42
€ 3,42 Buc. (fara TVA)
€ 4,14
€ 4,14 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 3,42
€ 3,42 Buc. (fara TVA)
€ 4,14
€ 4,14 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 24 | € 3,42 |
| 25 - 99 | € 3,21 |
| 100 - 349 | € 3,03 |
| 350 - 499 | € 2,67 |
| 500+ | € 2,46 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
207 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15.1mm
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse