Toshiba TK N-Channel MOSFET, 214 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK100E08N1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
214 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Tip pachet
TO-220
Serie
TK
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.45mm
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
130 nC @ 10 V
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 80,50
€ 1,61 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 97,40
€ 1,948 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 80,50
€ 1,61 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 97,40
€ 1,948 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
214 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Tip pachet
TO-220
Serie
TK
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.45mm
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
130 nC @ 10 V
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse