Toshiba P-Channel MOSFET, 8 A, 60 V, 3-Pin DPAK TJ8S06M3L
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
7mm
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
2.3mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Tara de origine
Japan
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.200,00
€ 0,60 Buc. (Pe o rola de 2000) (fara TVA)
€ 1.428,00
€ 0,714 Buc. (Pe o rola de 2000) (cu TVA)
2000
€ 1.200,00
€ 0,60 Buc. (Pe o rola de 2000) (fara TVA)
€ 1.428,00
€ 0,714 Buc. (Pe o rola de 2000) (cu TVA)
2000
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
7mm
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
2.3mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Tara de origine
Japan
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse