Toshiba Silicon N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 T2N7002AK,LM(T

Nr. stoc RS: 236-3585Producator: ToshibaCod de producator: T2N7002AK,LM(T
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2e+006 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 10,00

€ 0,04 Buc. (Intr-un pachet de 250) (fara TVA)

€ 12,10

€ 0,048 Buc. (Intr-un pachet de 250) (cu TVA)

Toshiba Silicon N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 T2N7002AK,LM(T
Selectati tipul de ambalaj

€ 10,00

€ 0,04 Buc. (Intr-un pachet de 250) (fara TVA)

€ 12,10

€ 0,048 Buc. (Intr-un pachet de 250) (cu TVA)

Toshiba Silicon N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 T2N7002AK,LM(T

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
250 - 250€ 0,04€ 10,00
500 - 750€ 0,04€ 10,00
1000 - 1250€ 0,03€ 7,50
1500 - 2750€ 0,03€ 7,50
3000+€ 0,03€ 7,50

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2e+006 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe