Toshiba 2SK N-Channel MOSFET, 5 A, 900 V, 3-Pin SC-67 2SK3565,S5Q(J

Nr. stoc RS: 890-2695Producator: ToshibaCod de producator: 2SK3565,S5Q(J
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Serie

2SK

Tip pachet

SC-67

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Lungime

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

28 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.5mm

Inaltime

15mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Tara de origine

Malaysia

Detalii produs

MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 9,00

€ 1,80 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 10,89

€ 2,178 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Toshiba 2SK N-Channel MOSFET, 5 A, 900 V, 3-Pin SC-67 2SK3565,S5Q(J

€ 9,00

€ 1,80 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 10,89

€ 2,178 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Toshiba 2SK N-Channel MOSFET, 5 A, 900 V, 3-Pin SC-67 2SK3565,S5Q(J

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 20€ 1,80€ 9,00
25 - 45€ 1,75€ 8,75
50 - 95€ 1,70€ 8,50
100 - 245€ 1,65€ 8,25
250+€ 1,60€ 8,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Serie

2SK

Tip pachet

SC-67

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Lungime

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

28 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.5mm

Inaltime

15mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Tara de origine

Malaysia

Detalii produs

MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe