Toshiba 2SK N-Channel MOSFET, 3 A, 900 V, 3-Pin SC-67 2SK3564,S5Q(J
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Serie
2SK
Tip pachet
SC-67
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15mm
Forward Diode Voltage
1.9V
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,35
€ 1,27 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,68
€ 1,537 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
€ 6,35
€ 1,27 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,68
€ 1,537 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,27 | € 6,35 |
| 25 - 45 | € 1,24 | € 6,20 |
| 50 - 95 | € 1,20 | € 6,00 |
| 100 - 245 | € 1,16 | € 5,80 |
| 250+ | € 1,13 | € 5,65 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Serie
2SK
Tip pachet
SC-67
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15mm
Forward Diode Voltage
1.9V
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse