N-Channel MOSFET Transistor, 8 A, 1000 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba 2SK1120

Nr. stoc RS: 441-186Producator: ToshibaCod de producator: 2SK1120
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Tip pachet

TO-3PN

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

150 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

120 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

15.9mm

Latime

4.8mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

19mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 8 A, 1000 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba 2SK1120

1

Disponibil in multiplu de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 8 A, 1000 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba 2SK1120

Informatii despre stoc temporar indisponibile

1

Disponibil in multiplu de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Tip pachet

TO-3PN

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

150 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

120 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

15.9mm

Latime

4.8mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

19mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze