Texas Instruments NexFET P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD25404Q3T
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
NexFET
Tip pachet
VSON-CLIP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
3.4mm
Lungime
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Tara de origine
Philippines
Detalii produs
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 177,50
€ 0,71 Buc. (Pe o rola de 250) (fara TVA)
€ 214,78
€ 0,859 Buc. (Pe o rola de 250) (cu TVA)
250
€ 177,50
€ 0,71 Buc. (Pe o rola de 250) (fara TVA)
€ 214,78
€ 0,859 Buc. (Pe o rola de 250) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
250
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
NexFET
Tip pachet
VSON-CLIP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
3.4mm
Lungime
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Tara de origine
Philippines
Detalii produs
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse