Texas Instruments NexFET P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD25404Q3T

Nr. stoc RS: 133-0156Producator: Texas InstrumentsCod de producator: CSD25404Q3T
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

104 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Serie

NexFET

Tip pachet

VSON-CLIP

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

150 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.15V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.65V

Maximum Power Dissipation

96 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Latime

3.4mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10.8 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Detalii produs

P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 8,35

€ 1,67 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 10,10

€ 2,021 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Texas Instruments NexFET P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD25404Q3T
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 8,35
10€ 16,70
15€ 19,95
20€ 26,60
25€ 33,25
30€ 39,90
35€ 46,55
40€ 53,20
45€ 59,85
50€ 57,50
55€ 63,25
60€ 69,00
65€ 74,75
70€ 80,50
75€ 86,25

€ 8,35

€ 1,67 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 10,10

€ 2,021 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Texas Instruments NexFET P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD25404Q3T

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 8,35
10€ 16,70
15€ 19,95
20€ 26,60
25€ 33,25
30€ 39,90
35€ 46,55
40€ 53,20
45€ 59,85
50€ 57,50
55€ 63,25
60€ 69,00
65€ 74,75
70€ 80,50
75€ 86,25

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 10€ 1,67€ 8,35
15 - 45€ 1,33€ 6,65
50 - 245€ 1,15€ 5,75
250 - 495€ 0,99€ 4,95
500+€ 0,87€ 4,35

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

104 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Serie

NexFET

Tip pachet

VSON-CLIP

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

150 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.15V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.65V

Maximum Power Dissipation

96 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Latime

3.4mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10.8 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Detalii produs

P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe