Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 272 A, 100 V, 3-Pin D2PAK CSD19536KTTT
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
272 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
NexFET
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 0 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,56
€ 6,56 Buc. (fara TVA)
€ 7,81
€ 7,81 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 6,56
€ 6,56 Buc. (fara TVA)
€ 7,81
€ 7,81 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 4 | € 6,56 |
| 5 - 9 | € 6,37 |
| 10+ | € 6,09 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
272 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
NexFET
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 0 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse