Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 272 A, 100 V, 3-Pin D2PAK CSD19536KTTT
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
272 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
NexFET
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 0 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 5,12
€ 5,12 Buc. (fara TVA)
€ 6,20
€ 6,20 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 5,12
€ 5,12 Buc. (fara TVA)
€ 6,20
€ 6,20 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
1
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
272 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
NexFET
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 0 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse