Texas Instruments Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement TO-263

Nr. stoc RS: 252-8486Producator: Texas InstrumentsCod de producator: CSD19532KTT
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

200A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Tip pachet

TO-263

Montare

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.9W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 600,00

€ 1,20 Buc. (Pe o rola de 500) (fara TVA)

€ 726,00

€ 1,452 Buc. (Pe o rola de 500) (cu TVA)

Texas Instruments Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement TO-263

€ 600,00

€ 1,20 Buc. (Pe o rola de 500) (fara TVA)

€ 726,00

€ 1,452 Buc. (Pe o rola de 500) (cu TVA)

Texas Instruments Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement TO-263

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

200A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Tip pachet

TO-263

Montare

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.9W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe