Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD19502Q5BT

Nr. stoc RS: 133-0154Producator: Texas InstrumentsCod de producator: CSD19502Q5BT
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

157 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Serie

NexFET

Tip pachet

VSON-CLIP

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

4.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

195 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

5.1mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

130 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.05mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 5,12

€ 2,56 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 6,20

€ 3,098 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD19502Q5BT
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 2.

Productie -

Disponibil in multiplu de 2.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

2

Disponibil in multiplu de 2
2€ 5,12
4€ 10,24
6€ 15,36
8€ 20,48
10€ 24,10
12€ 28,92
14€ 33,74
16€ 38,56
18€ 43,38
20€ 42,80
22€ 47,08
24€ 51,36
26€ 55,64
28€ 59,92
30€ 64,20

€ 5,12

€ 2,56 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 6,20

€ 3,098 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD19502Q5BT

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 2.

Productie -

Disponibil in multiplu de 2.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

2

Disponibil in multiplu de 2
2€ 5,12
4€ 10,24
6€ 15,36
8€ 20,48
10€ 24,10
12€ 28,92
14€ 33,74
16€ 38,56
18€ 43,38
20€ 42,80
22€ 47,08
24€ 51,36
26€ 55,64
28€ 59,92
30€ 64,20

CantitatePret unitarPer Pachet
2 - 8€ 2,56€ 5,12
10 - 18€ 2,41€ 4,82
20 - 48€ 2,14€ 4,28
50 - 98€ 1,92€ 3,84
100+€ 1,82€ 3,64

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

157 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Serie

NexFET

Tip pachet

VSON-CLIP

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

4.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

195 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

5.1mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

130 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.05mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe