Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A

Nr. stoc RS: 827-4909PProducator: Texas InstrumentsCod de producator: CSD18563Q5A
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

VSONP

Serie

NexFET

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

10.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.7V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.8mm

Inaltime

1.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

VSONP

Serie

NexFET

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

10.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.7V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.8mm

Inaltime

1.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe