Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18533Q5A
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
NexFET
Tip pachet
VSONP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5mm
Lungime
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.375,00
€ 0,55 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.636,25
€ 0,654 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 1.375,00
€ 0,55 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.636,25
€ 0,654 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
NexFET
Tip pachet
VSONP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5mm
Lungime
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse