Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 8-Pin VSONP CSD18504Q5A
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
NexFET
Tip pachet
VSONP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
9.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.7 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 47,25
€ 1,89 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 57,17
€ 2,287 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
€ 47,25
€ 1,89 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 57,17
€ 2,287 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
25
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 1,89 | € 9,45 |
| 50 - 120 | € 1,70 | € 8,50 |
| 125 - 245 | € 1,50 | € 7,50 |
| 250+ | € 1,42 | € 7,10 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
NexFET
Tip pachet
VSONP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
9.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.7 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse