N-Channel MOSFET, 47 A, 30 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD17308Q3

Nr. stoc RS: 827-4836PProducator: Texas InstrumentsCod de producator: CSD17308Q3
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

47 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SON

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

16.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

2.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

3.4mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.9 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Si

Serie

NexFET

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 47 A, 30 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD17308Q3
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 47 A, 30 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD17308Q3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

47 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SON

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

16.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

2.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

3.4mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.9 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Si

Serie

NexFET

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe