Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SON
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
73A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Tip pachet
SON
Serie
NexFET
Montare
Surface
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
17.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
3W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
10 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
4nC
Forward Voltage Vf
0.85V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Latime
5 mm
Inaltime
1.1mm
Lungime
5.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 975,00
€ 0,39 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.179,75
€ 0,472 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 975,00
€ 0,39 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.179,75
€ 0,472 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
2500
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
73A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Tip pachet
SON
Serie
NexFET
Montare
Surface
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
17.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
3W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
10 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
4nC
Forward Voltage Vf
0.85V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Latime
5 mm
Inaltime
1.1mm
Lungime
5.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse