Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V, 8-Pin VSONP CSD17307Q5A

Nr. stoc RS: 827-4833PProducator: Texas InstrumentsCod de producator: CSD17307Q5A
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

73 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Serie

NexFET

Tip pachet

VSONP

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

17.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

5mm

Transistor Material

Si

Inaltime

1.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 5,10

€ 0,51 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 6,17

€ 0,617 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V, 8-Pin VSONP CSD17307Q5A
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 5,10
20€ 10,20
30€ 15,30
40€ 20,40
50€ 25,50
60€ 30,60
70€ 35,70
80€ 40,80
90€ 45,90
100€ 51,00
110€ 56,10
120€ 61,20
130€ 66,30
140€ 71,40
150€ 76,50

€ 5,10

€ 0,51 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 6,17

€ 0,617 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V, 8-Pin VSONP CSD17307Q5A

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 5,10
20€ 10,20
30€ 15,30
40€ 20,40
50€ 25,50
60€ 30,60
70€ 35,70
80€ 40,80
90€ 45,90
100€ 51,00
110€ 56,10
120€ 61,20
130€ 66,30
140€ 71,40
150€ 76,50

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

73 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Serie

NexFET

Tip pachet

VSONP

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

17.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

5mm

Transistor Material

Si

Inaltime

1.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe