Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 60 A, 25 V, 8-Pin SON CSD16340Q3

Nr. stoc RS: 162-8530Producator: Texas InstrumentsCod de producator: CSD16340Q3
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Serie

NexFET

Tip pachet

SON

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

7.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

3.4mm

Lungime

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.5 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Tara de origine

Malaysia

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 60 A, 25 V, 8-Pin SON CSD16340Q3

2500

Disponibil in multiplu de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

P.O.A.

Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 60 A, 25 V, 8-Pin SON CSD16340Q3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

2500

Disponibil in multiplu de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Serie

NexFET

Tip pachet

SON

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

7.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

3.4mm

Lungime

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.5 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Tara de origine

Malaysia

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe