Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD16321Q5
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Serie
NexFET
Tip pachet
VSON-CLIP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
3.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.1mm
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.05mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2.200,00
€ 0,88 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 2.618,00
€ 1,047 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 2.200,00
€ 0,88 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 2.618,00
€ 1,047 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Serie
NexFET
Tip pachet
VSON-CLIP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
3.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.1mm
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.05mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse