Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 25 V Enhancement, 6-Pin SON CSD16301Q2

Nr. stoc RS: 827-4672Producator: Texas InstrumentsCod de producator: CSD16301Q2
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Tip pachet

SON

Serie

NexFET

Montare

Surface

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

34mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

2 mm

Inaltime

0.8mm

Lungime

2mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 3,00

€ 0,30 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 3,63

€ 0,363 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 25 V Enhancement, 6-Pin SON CSD16301Q2
Selectati tipul de ambalaj

€ 3,00

€ 0,30 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 3,63

€ 0,363 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 25 V Enhancement, 6-Pin SON CSD16301Q2

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Tip pachet

SON

Serie

NexFET

Montare

Surface

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

34mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

2 mm

Inaltime

0.8mm

Lungime

2mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe