Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 25 V Enhancement, 6-Pin SON
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
25V
Tip pachet
SON
Serie
NexFET
Montare
Surface
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance Rds
34mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.3W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
10 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
2nC
Forward Voltage Vf
0.8V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Latime
2 mm
Inaltime
0.8mm
Lungime
2mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 630,00
€ 0,21 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 762,30
€ 0,254 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 630,00
€ 0,21 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 762,30
€ 0,254 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
25V
Tip pachet
SON
Serie
NexFET
Montare
Surface
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance Rds
34mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.3W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
10 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
2nC
Forward Voltage Vf
0.8V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Latime
2 mm
Inaltime
0.8mm
Lungime
2mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse