Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 5 A, 25 V, 6-Pin WSON CSD16301Q2

Nr. stoc RS: 827-4672PProducator: Texas InstrumentsCod de producator: CSD16301Q2
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Serie

NexFET

Tip pachet

WSON

Montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

34 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.55V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

2.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Latime

2mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

0.8mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 3,10

€ 0,31 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 3,75

€ 0,375 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 5 A, 25 V, 6-Pin WSON CSD16301Q2
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 3,10
20€ 6,20
30€ 9,30
40€ 12,40
50€ 15,50
60€ 18,60
70€ 21,70
80€ 24,80
90€ 27,90
100€ 31,00
110€ 34,10
120€ 37,20
130€ 40,30
140€ 43,40
150€ 46,50

€ 3,10

€ 0,31 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 3,75

€ 0,375 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 5 A, 25 V, 6-Pin WSON CSD16301Q2

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 3,10
20€ 6,20
30€ 9,30
40€ 12,40
50€ 15,50
60€ 18,60
70€ 21,70
80€ 24,80
90€ 27,90
100€ 31,00
110€ 34,10
120€ 37,20
130€ 40,30
140€ 43,40
150€ 46,50

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Serie

NexFET

Tip pachet

WSON

Montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

34 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.55V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

2.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Latime

2mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

0.8mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe