Taiwan Semi N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK TSM230N06CP ROG
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.8mm
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1V
Inaltime
2.3mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 20,00
€ 0,80 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 23,80
€ 0,952 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 20,00
€ 0,80 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 23,80
€ 0,952 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.8mm
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1V
Inaltime
2.3mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse