Taiwan Semi TSM025 Silicon MOSFET, 107 A, 60 V, 8-Pin PDFN56 TSM048NB06LCR

Nr. stoc RS: 216-9660Producator: Taiwan SemiconductorCod de producator: TSM048NB06LCR
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Maximum Continuous Drain Current

107 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

TSM025

Tip pachet

PDFN56

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

4.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 3.975,00

€ 1,59 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

€ 4.809,75

€ 1,924 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)

Taiwan Semi TSM025 Silicon MOSFET, 107 A, 60 V, 8-Pin PDFN56 TSM048NB06LCR

€ 3.975,00

€ 1,59 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

€ 4.809,75

€ 1,924 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)

Taiwan Semi TSM025 Silicon MOSFET, 107 A, 60 V, 8-Pin PDFN56 TSM048NB06LCR

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Maximum Continuous Drain Current

107 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

TSM025

Tip pachet

PDFN56

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

4.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe