STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STY145N65M5

Nr. stoc RS: 880-5474PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: STY145N65M5
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

138 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

MDmesh

Tip pachet

Max247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

625 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Lungime

15.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

414 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

20.3mm

Forward Diode Voltage

1.5V

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 39,10

€ 39,10 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 47,31

€ 47,31 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STY145N65M5
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Tub)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 39,10
2€ 78,20
3€ 117,30
4€ 156,40
5€ 195,50
6€ 234,60
7€ 273,70
8€ 312,80
9€ 351,90
10€ 391,00
11€ 430,10
12€ 469,20
13€ 508,30
14€ 547,40
15€ 586,50

€ 39,10

€ 39,10 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 47,31

€ 47,31 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STY145N65M5

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Tub)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 39,10
2€ 78,20
3€ 117,30
4€ 156,40
5€ 195,50
6€ 234,60
7€ 273,70
8€ 312,80
9€ 351,90
10€ 391,00
11€ 430,10
12€ 469,20
13€ 508,30
14€ 547,40
15€ 586,50

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

138 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

MDmesh

Tip pachet

Max247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

625 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Lungime

15.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

414 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

20.3mm

Forward Diode Voltage

1.5V

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe