STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STY145N65M5
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
138 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh
Tip pachet
Max247
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
625 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.3mm
Lungime
15.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
414 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.3mm
Forward Diode Voltage
1.5V
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 1.181,10
€ 39,37 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 1.429,13
€ 47,638 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
€ 1.181,10
€ 39,37 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 1.429,13
€ 47,638 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
30
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
138 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh
Tip pachet
Max247
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
625 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.3mm
Lungime
15.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
414 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.3mm
Forward Diode Voltage
1.5V
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse