STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW48NM60N

Nr. stoc RS: 760-9796Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STW48NM60N
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

39 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

MDmesh

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

70 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

255 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Latime

5.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

124 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

15.75mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

20.15mm

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 5,98

€ 5,98 Buc. (fara TVA)

€ 7,24

€ 7,24 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW48NM60N
Selectati tipul de ambalaj

€ 5,98

€ 5,98 Buc. (fara TVA)

€ 7,24

€ 7,24 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW48NM60N

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

CantitatePret unitar
1 - 9€ 5,98
10 - 24€ 5,45
25 - 99€ 5,17
100 - 249€ 4,44
250+€ 4,24

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

39 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

MDmesh

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

70 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

255 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Latime

5.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

124 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

15.75mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

20.15mm

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe