STMicroelectronics FDmesh N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW34NM60ND

Nr. stoc RS: 760-9792PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: STW34NM60ND
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

TO-247

Serie

FDmesh

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

110 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

190 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Latime

5.15mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

15.75mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

80.4 nC @ 10 V

Inaltime

20.15mm

Detalii produs

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 18,04

€ 9,02 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 21,83

€ 10,91 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

STMicroelectronics FDmesh N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW34NM60ND
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Tub)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

2

Disponibil in multiplu de 1
2€ 18,04
3€ 27,06
4€ 36,08
5€ 45,10
6€ 54,12
7€ 63,14
8€ 72,16
9€ 81,18
10€ 90,20
11€ 99,22
12€ 108,24
13€ 117,26
14€ 126,28
15€ 135,30
16€ 144,32

€ 18,04

€ 9,02 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 21,83

€ 10,91 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

STMicroelectronics FDmesh N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW34NM60ND

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Tub)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

2

Disponibil in multiplu de 1
2€ 18,04
3€ 27,06
4€ 36,08
5€ 45,10
6€ 54,12
7€ 63,14
8€ 72,16
9€ 81,18
10€ 90,20
11€ 99,22
12€ 108,24
13€ 117,26
14€ 126,28
15€ 135,30
16€ 144,32

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

TO-247

Serie

FDmesh

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

110 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

190 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Latime

5.15mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

15.75mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

80.4 nC @ 10 V

Inaltime

20.15mm

Detalii produs

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe