STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW34NM60N
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-247
Serie
MDmesh
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
105 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
210 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
84 nC @ 10 V
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Inaltime
20.15mm
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 7,94
€ 7,94 Buc. (fara TVA)
€ 9,61
€ 9,61 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 7,94
€ 7,94 Buc. (fara TVA)
€ 9,61
€ 9,61 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
1
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 7,94 |
| 10 - 99 | € 6,77 |
| 100 - 499 | € 5,57 |
| 500 - 999 | € 4,86 |
| 1000+ | € 4,18 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-247
Serie
MDmesh
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
105 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
210 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
84 nC @ 10 V
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Inaltime
20.15mm
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse