STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW34NM60N

Nr. stoc RS: 168-7533Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STW34NM60N
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

MDmesh

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

105 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

210 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Latime

5.15mm

Lungime

15.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

84 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

20.15mm

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 152,10

€ 5,07 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 184,04

€ 6,135 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW34NM60N

€ 152,10

€ 5,07 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 184,04

€ 6,135 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW34NM60N

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Tub
30 - 60€ 5,07€ 152,10
90 - 480€ 4,16€ 124,80
510 - 960€ 3,64€ 109,20
990+€ 3,13€ 93,90

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

MDmesh

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

105 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

210 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Latime

5.15mm

Lungime

15.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

84 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

20.15mm

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe